 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Павелець С$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| 1. |
Павелець С. Ю.
Сенсори ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів ZnxCd1 – xS [Електронний ресурс] / С. Ю. Павелець, Ю. М. Бобренко, Т. В. Семікіна, Б. С. Атдаев, Г. Г. Шереметова, М. В. Ярошенко // Український фізичний журнал. - 2019. - Т. 64, № 4. - С. 306-312. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2019_64_4_9
Використання надтонкої (-10 нм) стабільної плівки p-Cu1,8S в ролі прозорої складової поверхнево-бар'єрної структури, а також варізонних шарів (ВШ) дозволило одержати ефективні напівпровідникові сенсори на основі твердих розчинів (ТР) Zn0,6Cd0,4S та Zn0,7Cd0,3S. В ролі підкладок для епітаксійного вирощування ТР використовуються шари n-CdS. Проблема одержання низькоомних полікристалічних шарів ZnxCd1-xS, створення до них омічних контактів, а також узгодження граток ТР з матеріалом підкладки вирішується шляхом використання проміжних варізонних шарів. На основі гетероструктури з використанням скляних фільтрів одержані селективний сенсор УФ-А діапазону (ТР Zn0,7Cd0,3S), а також сенсори, чутливість яких відповідає пігментаційній області сонячного випромінювання (фіолетово-блакитна область). Побудовано енергетичні зонні діаграми багатошарової гетероструктури, приведено результати оже-спектроскопічних досліджень і досліджень основних електричних і фотоелектричних властивостей сенсорів.Використання надтонкої (-10 нм) стабільної плівки p-Cu1,8S в ролі прозорої складової поверхнево-бар'єрної структури, а також варізонних шарів (ВШ) дозволило одержати ефективні напівпровідникові сенсори на основі твердих розчинів (ТР) Zn0,6Cd0,4S та Zn0,7Cd0,3S. В ролі підкладок для епітаксійного вирощування ТР використовуються шари n-CdS. Проблема одержання низькоомних полікристалічних шарів ZnxCd1-xS, створення до них омічних контактів, а також узгодження граток ТР з матеріалом підкладки вирішується шляхом використання проміжних варізонних шарів. На основі гетероструктури з використанням скляних фільтрів одержані селективний сенсор УФ-А діапазону (ТР Zn0,7Cd0,3S), а також сенсори, чутливість яких відповідає пігментаційній області сонячного випромінювання (фіолетово-блакитна область). Побудовано енергетичні зонні діаграми багатошарової гетероструктури, приведено результати оже-спектроскопічних досліджень і досліджень основних електричних і фотоелектричних властивостей сенсорів.
|
|
|
Простий
Розширений
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
Пам`ятка користувача